SiC mosfet 和si IGBT驱动电路差异对比

1、功耗差异：SiC MOSFET的功耗比Si IGBT明显减少，因为布尔抵抗的增加，其软启动和低频行为也更好，减少了散热问题。

2、开关特性差异：SiC MOSFET的开关特性表现出较高的速度和效率，给电路带来了安全性。Si IGBT以低成本而著称，其开关速度和功率密度远低于SiC MOSFET，但适用于低频应用。

3、噪声差异：SiC MOSFET输出电压噪声更低，可以实现更高的精度和稳定性。Si IGBT在短时间下使滤波器效果出现较大偏差。

4、功率密度差异：SiC MOSFET的功率密度比Si IGBT大得多，在同样的尺寸上拥有更大的功率容量，可以减少整体的尺寸。因此通常情况下，SiC MOSFET在空间有限的情况下更有优势。