SiC芯片制造工艺

具体流程

SiC芯片制造通常需要经过以下6个环节：

1、前处理:这里主要关注的是晶片表面的准备，它需要通过研磨、抛光或射流等过程来确保其表面的平整和光洁度，也可以去除杂质和杂质物质。

2、晶圆处理：此处主要关注的是晶圆表面的加工，它可以通过刻蚀或沉积等方法来改变晶圆表面结构，提高晶圆的可吸附性以及抗腐蚀性能等。

3、晶体生长:此处主要是晶体流体的加工，可以通过蒸馏、物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)等方法来将晶体流体在晶圆表面上形成表面深度和完整度较高的覆盖层。

4、集成电路的设计及制作:此处主要是通过计算机设计程序来生成不同种类的集成电路，以设计出具有良好性能的晶片，并使用晶圆上的形态来制作出特定功能的集成电路。

5、晶片测试:在晶片完成制作之后，还需要进行测试，以确保集成电路功能和性能的完备性以及其可靠性。

6、整合:最后一步就是将晶片整合到芯片上，以确保最终产品的质量及其可靠性