SIC碳化硅MOS的特性是怎样的

SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。

SIC MOSFET对门极驱动器（驱动光耦、容耦、磁耦等）的有何设计要求呢？

1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。

2、要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小，以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。

3、要求驱动器具有双路输出端口。

4、支持高开关频率（开关频率至少支持400KHz）

5、支持高安全隔离电压

6、3-5V的负压关断，开启要18V-20V。

针对如上的要求，Silicon Labs Si827x容耦隔离驱动芯片可以轻松满足设计需求。

• 高达4A峰值驱动电流，-40~125度宽温度范围，通过AEC-Q100认证。

• 业界最高的抗扰性能（200kV/μs）和闩锁免疫能力（400kV/μs），支持超快速开关。

• 最大60ns传输延迟，非常低的抖动200ps p-p，这里需要说明一下，传输延迟的影响因素与容耦隔离驱动芯片本身的副边供电电压VDDA/VDDB、负载电容、工作温度均有关。

SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于 SiC 功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统 (ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车）中优化性能。但是，由于高电压转换速率 (dv/dt) 和电流转换速率 (di/dt) 是 SiC 功率器件的固有特性，使其与硅基电路相比，这些电路对串扰、误导通、寄生谐振和电磁干扰 (EMI) 更为敏感。