隔离半桥驱动、单管驱动芯片选型表

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隔离半桥驱动芯片选型表

纳芯微的隔离半桥驱动芯片具有高可靠性,高集成度,高速开关等特性。可用于驱动IGBT、MOSFET、SiC和GaN等各种功率器件。基于NOVOSENSE的电容隔离技术,能满足基本绝缘或加强绝缘要求,可应用在工业、通信、新能源汽车等不同领域的开关电源设计中。

产品名称 峰值输出电流(A) 输入侧VCC电压(Max)(V) 输出侧VCC电压(Max)(V) VCC UVLO 阈值(V) 隔离耐压(kVrms) 绝缘等级 死区功能 产品等级 封装类型
NSi6602A-DLAR 4/-6 5.5 25 6.5 2.5 基本绝缘 可调 工业级 LGA13
NSi6602B-DLAR 4/-6 5.5 25 8.9 2.5 基本绝缘 可调 工业级 LGA13
NSi6602C-DLAR 4/-6 5.5 25 13.5 2.5 基本绝缘 可调 工业级 LGA13
NSi6602A-DSPNR 4/-6 5.5 25 6.5 3 基本绝缘 可调 工业级 SOP16
NSi6602B-DSPNR 4/-6 5.5 25 8.9 3 基本绝缘 可调 工业级 SOP16
NSi6602C-DSPNR 4/-6 5.5 25 13.5 3 基本绝缘 可调 工业级 SOP16
NSi6602A-DSWR 4/-6 5.5 25 6.5 5.7 加强绝缘 可调 工业级 SOW16
NSi6602B-DSWR 4/-6 5.5 25 8.9 5.7 加强绝缘 可调 工业级 SOW16
NSi6602C-DSWR 4/-6 5.5 25 13.5 5.7 加强绝缘 可调 工业级 SOW16
NSi6602B-Q1SWR 4/-6 5.5 25 8.9 5.7 加强绝缘 可调 车规级 SOW16
NSi6602B-DSWKR 4/-6 5.5 25 8.9 5.7 加强绝缘 可调 工业级 SOW14
NSi6602HB-DSWR 6/-8 5.5 25 8.9 5.7 加强绝缘 可调 工业级 SOW16
NSi6602HA-DLAR 6/-8 5.5 25 6.5 2.5 基本绝缘 可调 工业级 LGA13
NSi6602C-DSWKR 4/-6 5.5 25 13.5 5.7 加强绝缘 可调 工业级 SOW14
NSi6602A-Q1SWR 4/-6 5.5 25 6.5 5.7 加强绝缘 可调 车规级 SOW16
NSi6602A-DSWKR 4/-6 5.5 25 6.5 5.7 加强绝缘 可调 工业级 SOW14
NSi6602B-Q1SPNR 4/-6 5.5 25 8.9 3 基本绝缘 可调 车规级 SOP16
NSi6602C-Q1SWKR 4/-6 5.5 25 13.5 5.7 加强绝缘 可调 车规级 SOW14

隔离单管驱动

隔离单管驱动器基于NOVOSENSE电容隔离技术,提供通过UL1577、VDE0884、CSA和CQC认证的基本绝缘或增强绝缘产品,共模瞬变抗扰度(CMTI)超过150kV/us。隔离单管驱动器具备宽输出侧电源范围、高耐温、低延时、小脉宽失真等特性,具备有源下拉、短路钳位、有源米勒钳位、退饱和(DESAT)保护、过流保护(OCP)、软关断等功能,适合应用在高可靠性工业和汽车系统中。
产品名称 峰值驱动电流 (A) VCC UVLO 阈值 (V) 输入侧VCC电压(Max)(V) 输出侧VCC电压(Max)(V) 特性 隔离耐压(kVrms) 绝缘等级 工作温度 (°C) 产品等级 封装
NSi6601B-DSPR 5/-5 9 17 32 分立输出 3 基础绝缘 -40~125 工业级 SOP8
NSi6601C-DSPR 5/-5 13 17 32 分立输出 3 基础绝缘 -40~125 工业级 SOP8
NSi6601B-DSWVR 5/-5 9 17 32 分立输出 5.7 增强绝缘 -40~125 工业级 SOW8
NSi6601C-DSWVR 5/-5 13 17 32 分立输出 5.7 增强绝缘 -40~125 工业级 SOW8
NSi6601C-Q1SWVR 5/-5 13 17 32 分立输出 5.7 增强绝缘 -40~125 车规级 SOW8
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